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聚辰GT8101超強(qiáng)抗負(fù)壓MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片重磅發(fā)布
2021年06月04日

GT8101是聚辰2021年研發(fā)的一款100V VBOOT 電壓的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供1A的驅(qū)動(dòng)電流能力，性能優(yōu)良，保護(hù)周全，外圍電路簡(jiǎn)潔。


GT8101基本參數(shù)

? 100V VBOOT 電壓

? 工作電壓5.5V至20V

? 1A驅(qū)動(dòng)電流能力，驅(qū)動(dòng)1nF負(fù)載時(shí)，上升及下降時(shí)間20nS

? 提供Shoot-Through保護(hù)可有效防止上下管同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致芯片或MOSFET損壞

? 獨(dú)立的 High- and Low-Side Under-Voltage 保護(hù)

? 工業(yè)級(jí)–40 °C to +125 °C 工作溫度范圍

? SOP-8L封裝


GT8101三大優(yōu)勢(shì)集于一身

1、強(qiáng)悍的抗負(fù)壓能力，顯著提高系統(tǒng)可靠性

GT8101系列產(chǎn)品對(duì)于可能因負(fù)壓沖擊造成芯片損傷的管腳做了強(qiáng)化設(shè)計(jì)，可承受-7V直流電壓，無(wú)需額外的保護(hù)元件，提高系統(tǒng)可靠性的同時(shí)，對(duì)PCB布局布線更友好。市場(chǎng)上同類產(chǎn)品中抗負(fù)壓強(qiáng)度大多為-0.3V/-1V。


2、內(nèi)置自舉二極管，外圍線路簡(jiǎn)潔，節(jié)省PCB面積和BOM成本

GT8101外圍僅需兩個(gè)電容和一個(gè)電阻。比起市面上同類的產(chǎn)品多達(dá)15個(gè)的外圍器件， GT8101極大地節(jié)省了PCB面積和BOM成本。


3、自適應(yīng)的死區(qū)時(shí)間控制，保護(hù)芯片的同時(shí)最大程度提升系統(tǒng)效率。

半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品需要保證兩個(gè)MOSFET中只有一個(gè)在任何給定的時(shí)間是開(kāi)啟的，如果同一側(cè)的兩個(gè)MOSFET同時(shí)開(kāi)啟，會(huì)導(dǎo)致電源短路到地，產(chǎn)生直通電流（shoot-through），過(guò)量的shoot-through會(huì)導(dǎo)致MOSFET功率耗散更大，甚至損壞MOSFET。

減小shoot-through的方式通常可以分成被動(dòng)的或者主動(dòng)的。被動(dòng)的shoot-through保護(hù)可以通過(guò)實(shí)現(xiàn)高側(cè)和低柵極驅(qū)動(dòng)器之間的延遲，雖然簡(jiǎn)單，但所需延遲時(shí)間較長(zhǎng)；主動(dòng)的shoot-through保護(hù)可通過(guò)監(jiān)測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓，以確定何時(shí)開(kāi)關(guān)MOSFET。但柵極驅(qū)動(dòng)和返回路徑中的高電流和快速開(kāi)關(guān)電壓可能引起寄生振鈴，使MOSFET重新打開(kāi)，而且驅(qū)動(dòng)器無(wú)法監(jiān)測(cè)MOSFET內(nèi)部的柵極電壓。

聚辰的GT8101產(chǎn)品采用主動(dòng)和被動(dòng)結(jié)合的自適應(yīng)的死區(qū)時(shí)間控制，監(jiān)測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓，以確保兩個(gè)MOSFET不同時(shí)開(kāi)啟，最大限度地減少射穿電流，防止因?yàn)閟hoot-through造成的芯片的損壞的同時(shí)，并最可能的減小死區(qū)時(shí)間，最小35nS，從而提高了系統(tǒng)效率。

目前聚辰GT8101 MOFSET半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，主要應(yīng)用于電子助力轉(zhuǎn)向（EPS）、車載空調(diào)系統(tǒng)等領(lǐng)域。除了芯片產(chǎn)品本身，聚辰還將根據(jù)客戶需求提供硬件及軟件（算法）設(shè)計(jì)等定制化解決方案。

聚辰半導(dǎo)體一直致力于順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)為客戶提供出色的產(chǎn)品和服務(wù)。未來(lái)，聚辰將持續(xù)提升自主研發(fā)創(chuàng)新水平，鞏固在非易失性存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先地位，豐富在驅(qū)動(dòng)芯片等領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，與行業(yè)伙伴深化合作，共同為產(chǎn)業(yè)升級(jí)和社會(huì)智能化發(fā)展賦能。